[发明专利]功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110115893.4 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN113206051A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | A·韦迪;C·埃勒斯;A·昂劳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49;H01L21/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件包括：管芯载体；功率半导体芯片，该功率半导体芯片通过第一焊料接头耦合到管芯载体；用于引脚的套管，该套管通过第二焊料接头耦合到管芯载体；以及密封件，该密封件将套管机械地附接到管芯载体，密封件布置在套管的下端处，其中，该下端面对管芯载体，并且其中，该密封件不覆盖功率半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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