[发明专利]具有由功率半导体管芯的负载端子接合焊盘形成的可焊接接触焊盘的半导体封装及制造方法在审
| 申请号： | 202110116388.1 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN113257679A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 赵应山;T·纳耶夫;P·帕尔姆 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/13;H01L23/367 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体封装包括：绝缘衬底，所述绝缘衬底具有相对的第一主侧和第二主侧；功率半导体管芯，所述功率半导体管芯嵌入衬底中并且比所述衬底薄或与所述衬底一样厚，并且包括在面对与衬底的第一主侧相同的方向的第一侧处的第一负载端子接合焊盘，在面对与衬底的第二主侧相同的方向的第二侧处的第二负载端子接合焊盘，以及控制端子接合焊盘；导电的第一过孔，其在外围区域中延伸穿过所述衬底；第一金属化部，其在衬底的第一主侧处将第一负载端子接合焊盘连接到第一过孔；可焊接的第一接触焊盘，其在衬底的第二主侧处并且由第一过孔形成；以及可焊接的第二接触焊盘，其在衬底的第二主侧处并且由第二负载端子接合焊盘形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 功率 半导体 管芯 负载 端子 接合 形成 焊接 接触 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
