[发明专利]高速互连的改进贯通硅过孔在审
| 申请号： | 202110118082.X | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN113257764A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 常润滋 | 申请（专利权）人： | 马维尔亚洲私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;杨飞 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种器件包括：半导体衬底，该半导体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面；以及多个贯通硅过孔(TSV)。形成在第一表面与第二表面之间穿过衬底的TSV，这些TSV中的至少第一TSV包括(i)导电互连，其形成在第一TSV内并且被配置为在第一表面与第二表面之间传导电信号；以及(ii)位于衬底与导电互连之间的衰减层，其形成在第一TSV内，该衰减层被配置为衰减由TSV中的两个或更多个TSV所携载的电信号之间的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 互连 改进 贯通 | ||
【主权项】：
暂无信息
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