[发明专利]一种高压驱动电路在审

专利信息
申请号: 202110118242.0 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN112953509A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 张胜;谭在超;丁国华;罗寅 申请(专利权)人: 苏州锴威特半导体股份有限公司
主分类号: H03K19/0944 分类号: H03K19/0944
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 郭微
地址: 215600 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种高压驱动电路,电路包括电源偏置模块和驱动电路模块,所述电路大幅提高了驱动电压的电源输入电压,电压值可以与电路中的高压MOS管源漏击穿电压一样高,高压MOS管的栅源驱动电压为5V,保以保证驱动输管安全可靠地工作。同时,本发电路中增加了由高压PMOS管P3、高压NMOS管N4、电阻器R5和高压NMOS管N3、高压PMOS管P4、电阻器R4组成的死区时间控制电路,可以保证高压PMOS管P2和高压NMOS管N2不会同时导通,保护输出MOS管的安全。
搜索关键词: 一种 高压 驱动 电路
【主权项】:
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