[发明专利]在半导体制造中的微影方法在审

专利信息
申请号: 202110119007.5 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN113267960A 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 廖啟宏;杨岳霖 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 提供一种在半导体制造中的微影方法。该方法包括按以下方式经由许多喷嘴产生一目标材料的小滴的多个群组:这些群组中的每一者中的小滴聚集成该目标材料的一细长液滴。该方法亦包括自一激光产生器产生一激光脉冲,以将这些细长液滴转换至产生一EUV辐射的电浆。该方法进一步包括将一半导体晶圆曝露至该EUV辐射。
搜索关键词: 半导体 制造 中的 方法
【主权项】:
暂无信息
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