[发明专利]存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 202110119314.3 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112802843B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡亚萤;吴家伟 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器及其形成方法。本发明提供的形成方法中，优先在阵列区中制备位线的第一导电层，之后再在周边区中形成栅极结构的第二导电层，以改善位线的第一导电层中容易产生有空隙的问题，进而避免金属层中的金属扩散至第一导电层的空隙中。并且，本发明提供的形成方法中，在执行离子注入区的热退火工艺时，由于位线的第一导电层覆盖整个阵列区的衬底表面，从而可有效避免同一结构层中的不同材料之间由于热膨胀而相互挤压变形的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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