[发明专利]铜钴锌复合自支撑纳米阵列电极材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 202110119660.1 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN112951623B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 杜玺;尹雷雷;邸辰泽;苏坤梅;李振环 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | H01G11/86 | 分类号: | H01G11/86;H01G11/36;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人: | 王瑞 |
地址: | 300387 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种铜钴锌复合自支撑纳米阵列电极材料及其制备方法和应用。该方法包括:将铜氧化为氢氧化铜,洗涤、干燥后,得到线状阵列结构;将线状阵列结构浸泡在含金属离子的甲醇溶液中,金属离子充分生长于线状阵列结构上;再置于2‑甲基咪唑的甲醇溶液中至固体物质由蓝色变为紫色,洗涤、干燥后,得到自支撑结构@ZIF;所述金属离子为Co离子和Zn离子;将自支撑结构@ZIF置于含Co离子和Zn离子的乙醇溶液中,在密闭环境中进行溶剂热反应至固体物质由紫色变为灰色,得到电极材料。电极材料具有高度有序的空心纳米阵列,大量缺陷孔存在于纳米阵列表面,为催化过程提供了更多的活性位点和通畅的电子传输通道,可以作为电解水装置的正极和负极。 | ||
搜索关键词: | 铜钴锌 复合 支撑 纳米 阵列 电极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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