[发明专利]图像传感器和电子装置在审
申请号: | 202110119680.9 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN113284914A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 朴敬培;陈勇完;尹晟荣;朴性俊;房非非;许哲准 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了图像传感器和电子装置。一种图像传感器可以包括:第一光感测器件,在半导体基板上并配置为感测第一波长谱的光;以及第二光感测器件和第三光感测器件,被集成在半导体基板中并配置为分别感测第二波长谱的光和第三波长谱的光。第一光感测器件可以在半导体基板的厚度方向上与第二光感测器件和第三光感测器件中的每个重叠。第二光感测器件和第三光感测器件在该厚度方向上不重叠,并且每个具有上表面、下表面以及在上表面与下表面之间的掺杂区。第三光感测器件包括比第二光感测器件的上表面距半导体基板的上表面更深的上表面以及比第二光感测器件的掺杂区厚的掺杂区。图像传感器可以省略第一光感测器件。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 电子 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的