[发明专利]一种SRAM存储单元及存储器有效
| 申请号： | 202110119716.3 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112802520B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 宿晓慧;苏泽鑫;李博;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C7/12;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种SRAM存储单元及存储器，涉及电路设计技术领域，用于提高数据安全性，并降低了SRAM存储器的面积及功耗。所述SRAM存储单元包括：数据锁存电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路及存储电路。数据锁存电路具有第一输出端、第二输出端及转换节点。第一开关电路串接在第二输出端与转换节点之间。第二开关电路串接在第一输出端和存储电路的第一端之间。第三开关电路串接在转换节点和存储电路的第一端之间。存储电路的第二端用于与接地端电连接。所述SRAM存储器包括上述技术方案所提的SRAM存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
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