[发明专利]三维存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 202110120468.4 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112820735B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 高庭庭;刘小欣;薛磊;夏志良;伍术;耿万波;杜小龙;孙昌志 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供具有堆叠体的第一衬底，堆叠体包括多层牺牲层和多层隔离层，堆叠体具有台阶结构，堆叠体中除台阶结构以外的区域中具有贯穿至第一衬底的沟道阵列，台阶结构中形成有贯通至第一衬底的伪沟道孔；在台阶结构中形成绝缘层，并在伪沟道孔中形成介电填充层，绝缘层位于介电填充层与牺牲层之间。在形成栅极堆叠结构和共源极以得到存储器阵列并将存储器阵列与CMOS电路键合后，利用供氢层生成的氢气对沟道结构中的半导体材料进行修复时，上述氢气会在上述介电填充层进行扩散并对其进行钝化，从而有效地避免了现有技术中由于氢气直接通过伪沟道孔扩散至外围电路而对其造成的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110120468.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
