[发明专利]一种基于激光制作沟槽MOSFET的方法与装置有效
| 申请号： | 202110120600.1 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112872610B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 江兴方;阮志强;江鸿 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | B23K26/364 | 分类号： | B23K26/364;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 刘秋彤;梅洪玉 |
| 地址： | 213164 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种基于激光制作沟槽MOSFET的方法与装置，属于半导体领域。本发明解决了在半导体衬底上形成外延层表面后，采用三组激光制备沟槽和方形坑的问题，采用‑x方向、‑y方向激光，其出射口位于凸透镜的焦点处，通过凸透镜后以平行光射向铅光阑照射到外延层表面，形成相互垂直系列等间距的沟槽，这些沟槽之间形成二维方阵凸起；采用‑z方向激光通过凸透镜和铅模板，对这些凸起照射形成二维阵列方形坑；对方形坑注入另一种导电型半导体，利用刻蚀方法对沟槽中沉积的多晶硅与在外延层侧面的氧化物，形成控制栅电极和屏蔽栅电极，最后在外延层表面形成金属源极，在半导体衬底表面形成金属漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 制作 沟槽 mosfet 方法 装置 | ||
【主权项】：
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