[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板在审
| 申请号： | 202110121034.6 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112864231A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 崔友朝;张明;孙丹丹;胡艳龙;王园 | 申请（专利权）人： | 合肥维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/06;H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 230037 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，该薄膜晶体管，包括层叠设置的栅极、有源层和源漏极层，栅极与有源层、源漏极层绝缘设置，有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层，第二有源层形成于第一有源层背离栅极的一侧；第一有源层和第二有源层均为金属氧化物半导体层，第一有源层中铟元素的元素比例大于第二有源层中铟元素的元素比例，第一有源层中镓元素的元素比例小于第二有源层中镓元素的元素比例。上述薄膜晶体管同时满足开态的高导电性和关态低关态电流，使得薄膜晶体管的性能大大提高，可以满足高精细面板的要求，提高了显示面板的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
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