[发明专利]一种钴掺杂铁酸铋体系薄膜材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110121396.5 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN112939484A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 陈水源;霍冠忠;苏超;叶晴莹;黄志高 申请(专利权)人: 福建师范大学
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 350108 福建省福州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种钴掺杂铁酸铋体系薄膜材料的制备方法,其中x=0、0.02、0.04、0.06、0.08、0.10)。首先采用溶胶凝胶法制备BiFe1‑xCoxO3体系粉末样品,然后将该材料的粉末样品进行干燥并制成块体靶材,最后用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上制得BiFe1‑xCoxO3体系薄膜。本发明的方法可以确保薄膜质量好、成相纯度高、薄膜元素比例稳定、薄膜与衬底粘附性好,且纯相薄膜制备的成功率高,可重复性好,而且BiFe1‑xCoxO3体系薄膜样品观测到明显的磁、铁电、光伏效应。
搜索关键词: 一种 掺杂 铁酸铋 体系 薄膜 材料 制备 方法
【主权项】:
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