[发明专利]在样品坡面上进行纳米探针测试的方法在审

专利信息
申请号: 202110122128.5 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN112903736A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 赵新伟;曹茂庆;杨领叶;段淑卿;高金德 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G01N23/2255 分类号: G01N23/2255
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种在样品坡面上进行纳米探针测试的方法,包括以下步骤:将样品固定在FIB的样品台上,并将所述样品台移动至电子束与离子束的共聚焦点高度处;旋转所述样品台以使所述样品台与所述离子束成一预设角度;利用所述离子束轰击所述样品的表面,对所述样品的目标区域进行切割并形成一坡面;利用纳米探针在所述坡面上进行电性测试。利用聚焦离子束在样品上加工出坡面,通过在直接在所述坡面处下针实现了对样品内下层结构的纳米探针测试,并得到了准确的电性数据,对特殊样品的失效分析工作有着重大意义。
搜索关键词: 样品 面上 进行 纳米 探针 测试 方法
【主权项】:
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