[发明专利]半导体结构的形成方法及晶片在审
| 申请号： | 202110122260.6 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN113889409A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 罗益全;帕拉范苏莫汉塔;陈旻聪;谢江河;陈京玉;叶佳灵 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例是涉及一种半导体结构的形成方法及晶片。应变消除沟槽可在衬底上的外延层生长之前形成于衬底中。沟槽可减少由于外延层材料与衬底材料之间的材料特性的差异(例如，晶格失配、热膨胀系数的差异等)而在外延生长工艺期间出现在外延层上的应力和应变。沟槽所提供的应力和应变消除可减少或除去外延层和衬底中的裂纹和/或其它类型的缺陷，可减少和/或除去衬底的弯曲和翘曲，可减少衬底的断裂等。这可提高外延层的中心到边缘的质量，可以允许外延层生长在较大的衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 晶片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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