[发明专利]半导体结构制备方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110122311.5 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112509917B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 白龙刚;于良成;张松涛;苏朋;杨国文 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及半导体制备技术领域，半导体结构制备方法包括如下步骤：形成包括砷化镓层和铝镓砷层的叠层结构；在叠层结构的上表面形成掩模版；利用碱性溶液对砷化镓层进行刻蚀，形成贯穿砷化镓层的第一沟槽；利用等离子刻蚀方式对铝镓砷层进行刻蚀，在铝镓砷层内形成第二沟槽；去除掩模版，采用等离子体刻蚀由砷化镓层的上表面与第一沟槽内壁形成的第一拐角，以及由铝镓砷层的上表面和第二沟槽的内壁形成的第二拐角；使用氮等离子体处理第一沟槽的内壁和底部、第二沟槽的内壁和底部、砷化镓层的上表面；采用原子层沉积的方式在过渡层上方形成第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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