[发明专利]半导体结构的加工方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110122312.X | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112509918B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 白龙刚;于良成;张松涛;苏朋;杨国文 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的加工方法及半导体结构，涉及半导体结构加工技术领域，加工方法包括如下步骤：形成包括砷化镓部和铝镓砷部的叠层结构；在叠层结构的上表面形成掩模版；利用碱性溶液对砷化镓部进行刻蚀，在砷化镓部内形成贯穿砷化镓部的上部凹槽；利用等离子刻蚀方式对铝镓砷部进行刻蚀，在铝镓砷部内形成与上部凹槽连通的中部凹槽；在中部凹槽的周向侧壁上形成第一级侧墙结构，第一级侧墙结构底部具有开口，以第一级侧墙结构为掩模利用等离子刻蚀方式对中部凹槽的底面进行刻蚀，从而形成下部凹槽；利用等离子体轰击砷化镓部的上表面；采用原子层沉积的方式在砷化镓部的上表面，以及总槽体的侧壁和底面上形成次级氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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