[发明专利]一种二维第三主族金属氮化物实现单光子发射的方法在审
| 申请号： | 202110123393.5 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112928187A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 石芝铭;齐占斌;黎大兵;臧行;孙晓娟;蒋科;贲建伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 宁晓丹 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种二维第三主族金属氮化物实现单光子发射的方法涉及半导体光电器件技术领域，解决了未实现二维第三主族金属氮化物单光子发射的问题，方法为：利用分子束外延技术生长二维第三主族金属氮化物，通过调节生长条件和/或通过等离子轰击或电子轰击二维第三主族金属氮化物，以获得具有目标点缺陷的二维第三主族金属氮化物；利用具有目标点缺陷的二维第三主族金属氮化物制备单光子发射器件。目标点缺陷至少包括第三主族金属空位缺陷、带负电的第三主族金属空位缺陷、带正电第三主族金属反位缺陷中的一种。一种单光子发射器，采用上述方法制备。本发明能够制备具有高光提取效率、能够调节发射单光子的能量的单光子发射器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 第三 金属 氮化物 实现 光子 发射 方法 | ||
【主权项】：
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