[发明专利]一种提高耗尽型氮化镓HEMT功率器件击穿电压的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110123662.8 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885890A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 邵国键;林罡;陈韬;刘柱;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高耗尽型氮化镓HEMT功率器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底，所述衬底上设有外延层，所述外延层包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述外延层上方设有源极和漏极，所述源极和漏极之间设有栅极。本发明在形成源极、漏极、栅极后，通过在栅极、漏极之间引入离子掺杂区域，改变沟道中部分区域的二维电子气浓度，在栅极一侧改变电场分布，该峰值电场显著低于无离子掺杂区域的器件，栅、漏极间的电场均匀性得到加强，电场分布得到有效改善，避免栅边缘电场峰值引起器件的提前击穿，器件可以承受更高的漏极电压。最终器件的击穿电压得到提升，且器件的频率特性不会降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 耗尽 氮化 hemt 功率 器件 击穿 电压 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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