[发明专利]用于RRAM单元的混合式自跟踪参考电路在审
申请号: | 202110123835.6 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN113284537A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 林钲峻;曾佩玲;邹宗成;池育德 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C13/00 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种自动跟踪参考电路,其补偿IR降且在写入操作之后在不同温度下实现目标电阻状态。所公开的自跟踪参考电路包含跟踪PVT变化以针对RRAM验证操作提供PVT跟踪电平的副本存取路径、可配置电阻器网络、副本选择器迷你阵列以及阶跃电流产生器。 | ||
搜索关键词: | 用于 rram 单元 混合式 跟踪 参考 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110123835.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。