[发明专利]一种掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110123890.5 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112864228A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 邵国键;林罡;陈韬;刘柱;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底、外延层、源极、漏极以及栅极，所述外延层，位于所述衬底上方，包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述沟道层内具有二维电子气，所述势垒层内具有离子掺杂区域；所述源极与漏极位于所述外延层上方，表面覆盖有侧墙。所述离子掺杂区域靠近漏极的侧墙边缘。本发明通过离子掺杂工艺，提升漏极一侧势垒层区域的正电荷分布，同时改变沟道中部分区域的二维电子气浓度，提高漏极一侧电场分布，该峰值电场低于栅极附近的峰值电场强度。使得器件的击穿电压得到提升，且器件的频率特性不会降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 工艺 提高 半导体器件 击穿 电压 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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