[发明专利]一种减小高压SiC模块位移电流的结构在审
| 申请号： | 202110125022.0 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112928089A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 谌娟;阎晓妹;郭庆吉 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L29/739;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 王敏强 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小高压SiC模块位移电流的结构，包括高压SiC芯片下部电极通过焊接方式连接到下DBC层的DBC上铜层，高压SiC芯片上部电极通过键合方式连接到下DBC层的DBC上铜层，下DBC层的DBC下铜层通过焊接方式连接到底板，AC侧芯片以外进行双层DBC串联。本发明通过减小输出侧DBC寄生电容，降低模块位移电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 高压 sic 模块 位移电流 结构 | ||
【主权项】：
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