[发明专利]单片G波段三倍频器有效

专利信息
申请号: 202110126183.1 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN112838830B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 王亚冰;胡志富;何美林;何锐聪;刘亚男;彭志农;徐敏 申请(专利权)人: 河北雄安太芯电子科技有限公司
主分类号: H03B19/14 分类号: H03B19/14
代理公司: 河北冀华知识产权代理有限公司 13151 代理人: 王占华
地址: 071000 河北省保定*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种单片G波段三倍频器,涉及太赫兹器件技术领域。所述倍频器包括GaAs衬底,所述GaAs衬底上形成有输入压点,所述输入压点一端与第一传输微带线的一端连接,所述第一传输微带线的另一端经低通滤波器与第二传输微带线的一端连接,所述第二传输微带线的另一端经输入微带线匹配结构与GaAs基高截止频率肖特基二极管对的一端连接,所述GaAs基高截止频率肖特基二极管对的一端连接经并联接地结构与输出微带线匹配结构的一端连接,所述输出微带线匹配结构的另一端经输出带通滤波器与射频输出压点连接。所述倍频器频带宽,具有更高的一致性和成品率。
搜索关键词: 单片 波段 倍频器
【主权项】:
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