[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110126880.7 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112635569A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 | 申请（专利权）人： | 芯璨半导体科技（山东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 陈雪莹 |
| 地址： | 250000 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体功率器件及其制备方法，其包括基板，所述基板正面设有外延层，背面设有漏极金属电极；所述外延层上设有多个沟槽，所述外延层上方设有源极N+型结，所述外延层以及源极N+型结上方设有间层绝缘膜；所述间层绝缘膜上设有源极金属电极和栅极金属电极；所述源极金属电极穿过间隔绝缘膜和源极N+型结后与第一沟槽和第三沟槽内的硅酸乙酯接触；所述栅极电极穿过间层绝缘膜与第四沟槽内多晶态栅极接触。本发明制备TDMOS器件时，器件尺寸较小，减小n型柱区域的尺寸，有利于降低器件的通态电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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