[发明专利]物理气相沉积标靶及形成半导体元件的方法有效
申请号: | 202110126895.3 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN113265625B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 王嘉熙;陈彦羽;陈奕志;毕诗伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;H01L21/768 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 提供一种物理气相沉积标靶及形成半导体元件的方法,用于执行物理气相沉积(PVD)制程的PVD标靶包括背板及耦接至背板的标靶板。标靶板包括溅射源材料及掺杂剂,前提为此掺杂剂并非溅射源材料中的杂质。溅射源材料包括扩散阻障材料。 | ||
搜索关键词: | 物理 沉积 形成 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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