[发明专利]物理气相沉积标靶及形成半导体元件的方法有效

专利信息
申请号: 202110126895.3 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN113265625B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: 王嘉熙;陈彦羽;陈奕志;毕诗伟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;H01L21/768
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 提供一种物理气相沉积标靶及形成半导体元件的方法,用于执行物理气相沉积(PVD)制程的PVD标靶包括背板及耦接至背板的标靶板。标靶板包括溅射源材料及掺杂剂,前提为此掺杂剂并非溅射源材料中的杂质。溅射源材料包括扩散阻障材料。
搜索关键词: 物理 沉积 形成 半导体 元件 方法
【主权项】:
暂无信息
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