[发明专利]一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202110127406.6 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112951919B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;刘宏宇;徐森峰;付兴昌;王元刚;宋旭波;郭红雨;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/34 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述斜栅型氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电极之间的栅介质层和栅电极；在所述n型氧化镓沟道层上、所述栅电极下方设有一刻蚀凹坑，所述刻蚀凹坑的深度从靠近所述源电极一端向靠近所述漏电极一端逐渐变浅，且栅源区域的沟道层未被刻蚀。本发明提供的斜栅型氧化镓场效应晶体管不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氧化镓MOSFET的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 斜栅型 氧化 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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