[发明专利]一种HEMT器件有效
| 申请号： | 202110128642.X | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885896B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 易波;伍争;张千;向勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 李林合 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HEMT器件，通过在源极一侧设置肖特基金属和欧姆接触金属，实现HEMT单元胞集成低导通压降、低泄漏电流的反并联肖特基二极管。本发明通过肖特基金属和半导体接触的位置的特殊设计，保证了器件有源区长度不会增加，并且在器件导通时，栅极下形成的沟道将原本隔离的肖特基金属周围的有源区和欧姆接触金属电气连接起来，从而充分利用器件的有源区进行导电，保证比传统单一的HEMT的导通电阻增加的值最小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hemt 器件 | ||
【主权项】：
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