[发明专利]CVD制石墨烯装置及石墨烯薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110130327.0 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112938945B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 张宝勋;李炯利;王旭东;徐梓钊 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;C30B29/02;C30B30/00 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 王勤思 |
| 地址： | 100094 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CVD制石墨烯装置及石墨烯薄膜的制备方法。本发明提供了一种CVD制石墨烯装置，包括支架底座、石墨烯生长基底和顶盖。支架底座为环状封闭结构，顶部设有贯穿孔洞，贯穿孔洞一内侧壁上设有固定柱。石墨烯生长基底的固定端为弯折的、且设有与固定柱相适配的开孔。顶盖内侧壁上设有固定板，固定板上设有与固定柱相适配的开孔。使用该装置时，石墨烯生长基底插入贯穿孔洞，通过固定端的弯折结构将其开孔套设于与被贯穿孔洞相邻孔洞的固定柱上，顶盖的固定板插入贯穿孔洞并通过开孔套设于固定柱上，将固定端夹紧。使用该装置制备的石墨烯薄膜无褶皱，且提高了生长石墨烯装置的空间利用率。还提供了一种用该装置制备石墨烯薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | cvd 石墨 装置 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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