[发明专利]一种微波等离子体刻蚀装置及方法有效
| 申请号： | 202110133205.7 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112967920B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 陈特超;杨彬;杨志权;赵忠;张威 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L31/18;H01Q1/42 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 覃族 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微波等离子体刻蚀装置，包括：真空反应腔室、耦合窗、屏蔽罩和微波传导组件；耦合窗的一侧与真空反应腔室密封连接，耦合窗的另一侧与屏蔽罩密封连接；微波传导组件包括长度可调的同轴天线，同轴天线伸入屏蔽罩内，且同轴天线在屏蔽罩内的长度大于或等于真空反应腔室中刻蚀基体的总高度；通过同轴天线传输微波，以激发真空反应腔室内的反应气体转化为活性等离子体，实现对刻蚀基体的刻蚀。本发明的微波等离子体刻蚀装置具有结构紧凑、等离子体浓度高、设备产能高等优点。同时，本发明还公开了利用上述微波等离子体刻蚀装置进行刻蚀的方法，大大提高了待刻蚀基体的刻蚀效率，并且保证了刻蚀质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 等离子体 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】：
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