[发明专利]互连结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110133574.6 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113161287A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 林伯俊;林毓超;李东颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的实施例是一种形成互连结构方法，包括：在掩模层中形成开口，该开口使掩模层下方的导电部件露出；使用无电镀沉积工艺在开口中形成导电材料，该导电材料形成导电通孔；去除掩模层；在导电通孔的顶面和侧壁上形成共形势垒层；在共形势垒层和导电通孔上方形成介电层；将共形势垒层从导电通孔的顶面去除；以及在导电通孔上方形成导电线并且该导电线电耦合到导电通孔。根据本申请的其他实施例，还提供了互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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