[发明专利]一种基于TSC695处理器的可加载型通用RAM自测试方法有效
申请号: | 202110136085.6 | 申请日: | 2021-02-01 |
公开(公告)号: | CN112951314B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 朱琦;刘胜阳;林挺;侯俊;林型勇 | 申请(专利权)人: | 上海航天计算机技术研究所 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56;G01R31/28 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 黄超宇;胡晶 |
地址: | 201109 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于TSC695处理器的可加载型通用RAM自测试方法,包括以下步骤:编译生成低地址段的测试程序模块,编译生成高地址段的测试程序模块,低、高两部分测试模块连接生成加载程序,加载程序通过串口加载到RAM中运行,判断低地址段程序是否发生RAM异常和测试结束,运行低地址段测试模块测试高地址段RAM读写,将高地址段测试模块代码转存至高地址段,跳转至高地址段,判断高地址段测试程序是否发生RAM异常和测试结束和运行高地址段测试模块测试低地址段RAM读写。本发明解决了计算机验收测试时将测试程序加载到RAM上实现RAM自测试时测试难以全面覆盖的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 tsc695 处理器 加载 通用 ram 测试 方法 | ||
【主权项】:
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