[发明专利]基于时延法测量二维电子密度剖面的太赫兹微波干涉阵列有效

专利信息
申请号: 202110137113.6 申请日: 2021-02-01
公开(公告)号: CN112992387B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 王正汹;施培万;朱霄龙 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G21B1/23 分类号: G21B1/23
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 隋秀文;温福雪
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于磁约束受控核聚变等离子体诊断领域,涉及一种基于时延法测量二维电子密度剖面的太赫兹微波干涉阵列,是测量磁约束等离子体电子密度的重要技术方法。本发明主要包括晶体振荡器,六公分器,点频源,太赫兹倍频器,由二公分器、可编程微波开关、混频器、放大器、检波器和中央处理器组成的集成单元,微波波导,太赫兹相控阵天线和中央处理器。本发明的阵列可以通过在磁约束聚变装置中布置多个可灵活调节发射角度的太赫兹相控阵天线和可编程微波开关实现多个空间位置的分时测量,然后利用快速数值反演算法获取二维测量电子密度剖面,采用的时延方法特别合适用于未来大型磁约束聚变装置。
搜索关键词: 基于 时延法 测量 二维 电子密度 剖面 赫兹 微波 干涉 阵列
【主权项】:
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