[发明专利]一种高导电性的铜/石墨烯/铜复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110137353.6 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112962099A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 巫露 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C16/26;C23C16/02;C23C14/35;C23C14/18;C25F3/22;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都玖和知识产权代理事务所(普通合伙) 51238 | 代理人： | 胡琳梅 |
| 地址： | 610000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高导电性的铜/石墨烯/铜复合材料及其制备方法，属于复合材料制备技术领域，清洗铜箔，以铜箔作为基体；采用直流电源对铜箔表面进行电化学抛光处理；将抛光后的铜箔高温气相反应，在铜箔表面生长出单层石墨烯；采用磁控溅射法在石墨烯的表面沉积上一层纳米铜膜，制得铜/石墨烯/铜复合材料；本发明提供的高导电性的铜/石墨烯/铜复合材料制备方法操作简单，耗时短，效率高，工艺成本低，可应用于国家电力系统，集成电路等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电性 石墨 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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