[发明专利]增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法有效

专利信息
申请号: 202110138200.3 申请日: 2021-02-01
公开(公告)号: CN112744795B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 李伟;崔振浩 申请(专利权)人: 苏州大学张家港工业技术研究院;苏州大学
主分类号: C01B21/06 分类号: C01B21/06
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 苏张林
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法,将二维电子化合物材料Ca2N进行S原子表面吸附,发生结构相变,使Ca2N材料从六角晶体结构转变为正方晶体结构。Ca‑N‑Ca角度趋近于90度(89.98度),增强了材料的超交换相互作用。计算获得的磁各向异性能和居里温度均大于典型的二维磁性材料CrI3和Cr2Ge2Te6,说明了磁性响应和居里温度的增强。本发明的方法对于二维磁性材料在自旋电子器件和存储器件等应用中具有重要的研究意义。
搜索关键词: 增强 二维 电子 化合物 材料 磁性 响应 居里 温度 方法
【主权项】:
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