[发明专利]具有减少接通电阻的竖直传导电子功率器件及制造工艺在审
| 申请号： | 202110139503.7 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113206154A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | D·G·帕蒂;M·G·斯库拉蒂;M·莫里利 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及具有减少接通电阻的竖直传导电子功率器件及制造工艺。一种竖直传导电子功率器件，包括：主体，由第一表面和第二表面界定并且具有半导体材料的外延层，以及衬底。外延层由主体的第一表面界定，并且衬底由主体的第二表面界定。外延层至少包含第一传导区域和第二传导区域，具有第一掺杂类型，以及多个在外延层内延伸的绝缘栅极区域。衬底具有至少一个硅化物区域，该硅化物区域从主体的第二表面开始朝向外延层延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 接通 电阻 竖直 传导 电子 功率 器件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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