[发明专利]金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管及其制备方法在审
申请号: | 202110141958.2 | 申请日: | 2021-02-02 |
公开(公告)号: | CN112885911A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 刘启晗;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 | 申请(专利权)人: | 西交利物浦大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/113;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 叶栋 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及的金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管,其包括衬底、栅电极、介电层、第一有源层、第二有源层、二维电子气层、以及源电极和漏电极,第一有源层为金属氧化物异质结电刺激有源层,第二有源层为金属氧化物异质结光刺激有源层,第一有源层通过电脉冲信号刺激调制源电极和漏电极之间的电导率从而实现基于电刺激调制的突触可塑性,第二有源层在白光或不同波长的光刺激下产生兴奋性突触后电流并实现基于光刺激调制的突触可塑性,集成了光刺激和电刺激调制的突触可塑性于单个晶体管上,结构简单,二维电子气实现较高的载流子迁移率,从而提高突触晶体管的性能,且可运用于可穿戴设备,柔性电子器件等器件上。 | ||
搜索关键词: | 金属 氧化物 异质结 光电 刺激 突触 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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