[发明专利]后段金属填充方法、填充器件、存储器件及半导体器件在审
| 申请号： | 202110142524.4 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN112967997A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 向梦琦;吴友明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种后段金属的填充方法，通过先在第一结构层上刻蚀得到间隔的多个第一通孔，然后在第一通孔中增加填充物并生长第二结构层，再在第二结构层上刻蚀得到间隔的多个第二通孔，且每个第二通孔对应制作于一个第一通孔处，最后去除第一通孔内的填充物，并向第一通孔和第二通孔填充金属，完成后段金属的填充。本申请后段金属的填充方法由于只进行了一次金属填充，能够减少后段金属填充工艺过程中所需要的制作流程，同时能够降低制作成本，进而减少后段金属中缺陷的发生率。本申请还涉及一种由上述方法制成的后段金属填充器件。 | ||
| 搜索关键词： | 后段 金属 填充 方法 器件 存储 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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