[发明专利]胶束刻蚀制备聚（3,4-二氧乙烯噻吩）纳米图案的方法有效
| 申请号： | 202110142850.5 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN114843007B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 马冯 | 申请（专利权）人： | 湖南文理学院 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/12;H01B13/00;C08G61/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 曾志鹏 |
| 地址： | 415000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种胶束刻蚀制备聚(3,4‑二氧乙烯噻吩)纳米图案的方法，包括如下步骤，1)处理基板，清洗玻璃基板，除去杂物和羟基化，将其置于湿度为40‑80％的环境中；2)旋涂氧化物薄膜，将氧化剂溶液滴加到玻璃基板上，旋转玻璃基板，静置一段时间；3)形成聚(3,4‑二氧乙烯噻吩)纳米图案，将形成有氧化剂薄膜的玻璃基板置于气相合成室内，加热(3,4‑二氧乙烯噻吩)单体，控制气相合成室内湿度和温度，反应，清洗，干燥，得到聚(3,4‑二氧乙烯噻吩)纳米图案，本方法操作简单，便于控制尺寸，稳定性高，成本低廉，纳米图案上的孔洞尺寸达到纳米级，导电率高。 | ||
| 搜索关键词： | 胶束 刻蚀 制备 二氧 乙烯 噻吩 纳米 图案 方法 | ||
【主权项】：
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