[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110143538.8 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN113206087A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 徐崇威;江国诚;朱龙琨;黄懋霖;余佳霓;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置与其制作方法。半导体装置包括多个第一半导体层与多个第二半导体层于基板上，第一半导体层彼此分开并沿着实质上垂直于基板的上表面的方向向上堆叠，且第二半导体层彼此分开并沿着实质上垂直于基板的上表面的方向向上堆叠。每一第二半导体层的厚度小于每一第一半导体层的厚度。第一界面层，位于每一第一半导体层周围；第二界面层，位于每一第二半导体层周围；第一偶极栅极介电层，位于每一第一半导体层周围并位于第一界面层上；第二偶极栅极介电层，位于每一第二半导体层周围并位于第二界面层上；第一栅极，位于每一第一半导体层周围并位于第一偶极栅极介电层上；以及第二栅极，位于每一第二半导体层周围并位于第二偶极栅极介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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