[发明专利]集成芯片

摘要

本公开多种实施例涉及集成芯片。集成芯片包括第一半导体鳍状物，自半导体基板垂直凸起。第二半导体鳍状物，自半导体基板垂直凸起，其中第二半导体鳍状物与第一半导体鳍状物在第一方向中分开，且其中第一半导体鳍状物的第一最顶部表面高于第二半导体鳍状物的第二最顶部表面。纳米结构堆叠，位于第二半导体鳍状物上并与第二半导体鳍状物垂直分开，其中纳米结构堆叠包括垂直堆叠的多个半导体纳米结构。一对第一源极/漏极区，位于第一半导体鳍状物上，其中第一源极/漏极区位于第一半导体鳍状物的上侧部分的两侧上。一对第二源极/漏极区，位于第二半导体鳍状物上，其中第二源极/漏极区位于纳米结构堆叠的两侧上。