[发明专利]操作装置的方法、半导体结构以及影像感测器在审
申请号: | 202110143613.0 | 申请日: | 2021-02-02 |
公开(公告)号: | CN113206115A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 谢丰键;胡维礼;李国政;陈信吉;郑允玮 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种操作装置的方法、半导体结构以及影像感测器,装置包括光电侦测器电路,此光电侦测器电路包括光电侦测器及感测电路,此光电侦测器及感测电路位于具有第一导电类型的掺杂的基板半导体层上方。光电侦测器包括:第二导电类型的钉扎光电二极管层,其与基板半导体层形成p‑n接面;至少一个浮动扩散区域,此浮动扩散区域与第二导电类型的钉扎光电二极管层的周边横向地间隔开;以及至少一个转移栅极。可通过将至少两个不同脉冲图案施加到至少一个转移栅极来执行至少两个不同操作。至少两个不同脉冲图案相互或彼此在以下至少一项上不同:脉冲持续时间、脉冲幅度以及施加到感测电路的控制信号与至少一个转移栅极的相应一者处的脉冲启动之间的延迟时间。 | ||
搜索关键词: | 操作 装置 方法 半导体 结构 以及 影像 感测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的