[发明专利]一种低应力晶体的生长方法有效
| 申请号： | 202110145424.7 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112746312B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 史艳磊;孙聂枫;王书杰;付莉杰;邵会民;赵红飞;李亚旗;刘惠生;孙同年;康永;张晓丹;张鑫;姜剑;李晓岚;王阳;薛静 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/42 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 聂旭中 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种低应力晶体的生长方法，涉及晶体制备领域，尤其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的方法，借助拥有可移动式晶体加热罩的提拉法晶体生长装置实现，晶体生长装置实现包括炉体，炉体底部的坩埚及加热保温系统，晶体提拉机构，石英观察窗，所述装置还有可移动式晶体加热罩，包括加热罩体、设置在加热罩体四周的加热丝、加热罩升降机构。晶体生长过程中，以及晶体提拉出熔体后，用可移动式晶体加热罩进行覆盖。采用本方法，可以降低晶体生长过程中、以及晶体提起后降温过程中晶体内部的温度梯度，从而降低晶体应力，降低缺陷，避免晶体开裂，同时保持熔体内的温度梯度，保证晶体生长过程稳定，从而保证晶体成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
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