[发明专利]一种二维半导体材料SnSe2有效

专利信息
申请号: 202110146498.2 申请日: 2021-02-03
公开(公告)号: CN113026096B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 胡小会;陈旭凡 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: C30B25/00 分类号: C30B25/00;C30B29/46;C30B29/64
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 邢贤冬;徐冬涛
地址: 211816 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法:将Se粉和Sn粉混合均匀,装入石英管内,放入单质碘,将石英管内气压抽至≤0.1mbar,封管;将石英管放入双温区管式炉中,将装有原料的一端置于高温区且另一端置于低温区,双温区的温度均设置560‑600℃,恒温1天;再将低温区的温度降低至550℃,高温区的温度保持在560‑600℃,保持5天‑7天;再降至室温,降温过程中保持高温区和低温区的温度差为10‑50℃,得到片状、大面积、高质量的SnSe2单晶。本发明可以一步制得SnSe2单晶,单晶呈现亮黑色,呈较薄的片状,单晶组分均匀,表面平整,易于机械剥离,有利于对材料进行光刻等微加工工艺。
搜索关键词: 一种 二维 半导体材料 snse base sub
【主权项】:
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