[发明专利]清洗工艺和半导体工艺方法在审
| 申请号： | 202110147705.6 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112951711A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 崔兆培;朱柄宇 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/108;H01L27/11517;H01L27/11563 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种清洗工艺，用于对半导体结构的表面进行清洗，所述半导体结构的表面形成有残留物层，所述清洗工艺包括：向所述半导体结构的表面提供第一反应气体及第二反应气体，所述第一反应气体与所述第二反应气体反应，以在去除所述残留物层的同时于所述半导体结构的表面形成保护层。上述清洗工艺，与传统清洗工艺相比，无需等离子条件，降低了清洗工艺所需要满足的条件，节省了成本。并且，在去除残留物层的同时，还可以在半导体结构表面形成保护层，进一步避免半导体结构表面被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 工艺 半导体 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
