[发明专利]形成集成电路器件的方法在审
| 申请号： | 202110148536.8 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN113224162A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 金旻奎;全辉璨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/36;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了形成集成电路器件的方法。该方法可以包括在衬底上形成下部结构。下部结构可以包括第一VFET和第二VFET、在第一VFET和第二VFET之间的初始隔离结构、以及在初始隔离结构的相反两侧上和在初始隔离结构与衬底之间的栅极衬层。第一VFET和第二VFET中的每个可以包括底部源极/漏极区、依次堆叠的沟道区和顶部源极/漏极区以及在沟道区的侧表面上的栅极结构。初始隔离结构可以包括依次堆叠的牺牲层和间隙盖层。该方法还可以包括在下部结构上形成顶部盖层、然后通过去除牺牲层而在第一VFET和第二VFET之间形成腔。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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