[发明专利]水平全环栅和FinFET器件隔离在审
| 申请号： | 202110148577.7 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113161421A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 孙世宇;N·吉田;T·K·加里尼;S·W·君;V·皮纳;E·A·C·桑切斯;B·哥伦毕尤;M·出德齐克;B·伍德;N·金 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/15;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了水平全环栅和FinFET器件隔离。本文中所述的实施例总体涉及用于水平全环栅(hGAA)隔离和鳍式场效应晶体管(FinFET)隔离的方法和装置。可在基板上形成包括按交替式堆叠形成来布置的不同材料的超晶格结构。在一个实施例中，可氧化超晶格结构的层中的至少一层以形成邻接基板的埋入式氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 全环栅 finfet 器件 隔离 | ||
【主权项】：
暂无信息
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