[发明专利]功率半导体结构及断路器转移支路组件有效
| 申请号： | 202110149779.3 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112968007B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 毛婳;蒋华平;冉立;杨大伟;蔡巍;杨敏祥;黄晓乐;陈纲亮;彭兆伟;秦逸帆;徐党国;黄诗洋;宁琳如;龙凯华;马鑫晟;卢毅 | 申请（专利权）人： | 重庆大学;国网冀北电力有限公司电力科学研究院;国网冀北电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/427 |
| 代理公司： | 北京科领智诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11782 | 代理人： | 陈士骞 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种功率半导体结构及直流断路器。该功率半导体结构包括第一金属组件层、半导体芯片组件、第一冷却件、第二金属组件层和第二冷却件；半导体芯片设于第一金属组件层上；芯片门极线的第一端连接半导体芯片；第一冷却件设于半导体芯片上；第二金属组件层包括设于第一冷却件上的第一金属层，以及设于第一金属层上的第二金属层；其中，第一金属设有容纳腔；第二冷却件设于容纳腔内；芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出，实现在电网发生短路等故障时，可通过第一冷却件和第二冷却件快速降低半导体芯片温度，同时提升芯片的温度均匀性，进而提高了应用模块的安全可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 结构 断路器 转移 支路 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学;国网冀北电力有限公司电力科学研究院;国网冀北电力有限公司，未经重庆大学;国网冀北电力有限公司电力科学研究院;国网冀北电力有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110149779.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：隧道照明智能控制系统
- 下一篇：一种多层电路板和多层电路板的制备方法
