[发明专利]基于伪MOS的InGaAs几何因子表征方法及系统有效
| 申请号： | 202110150684.3 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112461900B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 刘森;方亮;李建平;史林森;张均安 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于伪MOSFET的InGaAs晶圆几何因子表征方法及表征系统，表征方法包括：提供待表征试样，最上层为InGaAs层，构成伪MOS结构；基于第一衬垫、第二衬垫、第三衬垫及第四衬垫测试方块电阻、测试区电阻，并基于测试结构及电流电压关系实现InGaAs基伪MOSFET的几何因子的表征。本发明通过测试方法过程中测试方式的设计，可以实现InGaAs基的伪MOSFET的几何因子表征，表征方式简单，表征系统结构简单。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mos ingaas 几何 因子 表征 方法 系统 | ||
【主权项】：
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