[发明专利]半导体处理设备的使用方法、半导体处理设备、及存储介质有效
| 申请号： | 202110151133.9 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112967953B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 陈鲁;王彦彦;张朝前;马砚忠;卢继奎;张嵩 | 申请（专利权）人： | 深圳中科飞测科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 邵泳城 |
| 地址： | 518110 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体处理设备、半导体处理设备的使用方法、及非易失性计算机可读存储介质。半导体处理设备包括设有开口的处理腔室、位于处理腔室内的激光器、及设于开口处的遮挡件，遮挡件设置在开口处并能够调节开口的开合度。半导体处理设备的使用方法包括：获取开口的开合度；及当开口的开合度超过预设的安全阈值时，降低激光器的输出功率或激光器停止发光。本申请实施方式的半导体处理设备及半导体处理设备的使用方法中，激光器与开口的开合度关联，当开口的开合度超过预设的安全阈值时，可降低激光器的输出功率，或激光器停止发光。如此，无论开口的开合度处于任何状态，均能够保护开口处的操作人员的眼睛安全。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 设备 使用方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
