[发明专利]InP基模斑转换器、模斑转换结构及制备方法有效

专利信息
申请号: 202110151244.X 申请日: 2021-02-03
公开(公告)号: CN112859239B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 王亮;何伟;蒋忠君;张博健 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: G02B6/14 分类号: G02B6/14;G02B6/13
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴梦圆
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种InP基模斑转换器、模斑转换结构及制备方法,该InP基模斑转换器,包括:两层或多层不同组分的InxGa1‑xAsyP1‑y层,形成垂直锥形结构,其中,x满足0<x<1,y满足0<y<1,各InxGa1‑xAsyP1‑y层具有沿第一方向渐变的折射率分布,所述第一方向为沿所述模斑转换器的模斑尺寸减小的厚度方向。本发明引入具有渐变折射率分布的模斑转换器,制备高度集成、高转换效率模斑转换器,实现小尺寸高效率的模斑转换,实现紧凑转换波导器件,降低封装成本。
搜索关键词: inp 基模斑 转换器 转换 结构 制备 方法
【主权项】:
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